SILICON ON INSULATOR

SciMater™ SOI绝缘硅片

由顶层单晶硅、BOX埋氧层和底层硅衬底构成，可实现器件层与衬底之间的电学隔离，适用于MEMS、硅光子、射频器件、传感器、集成电路及微纳加工。

顶层硅参数可选 BOX埋氧层单面／双面抛光 4—8英寸整片支持切割片支持定制加工

产品描述

SOI是Silicon On Insulator的缩写，中文通常称为绝缘体上硅。其结构由顶层硅、BOX埋氧层和底层硅三部分构成，其中顶层硅作为器件层，BOX层提供电学隔离，底层硅负责机械支撑及背面加工。

不同SOI产品可分别调整顶硅导电类型、晶向、电阻率、厚度、BOX厚度及底硅参数，以适配硅光子、集成电路、MEMS、射频器件、传感器和薄膜研究。

下单时应完整确认顶硅类型、顶硅晶向、顶硅掺杂、顶硅电阻率、顶硅厚度、BOX厚度、底硅类型、底硅晶向、底硅掺杂、底硅电阻率、底硅厚度及抛光方式。

产品核心特点

电学隔离良好 BOX层将器件层与底层硅隔离，可降低衬底漏电和寄生耦合。

器件层参数可选 顶硅可选择不同类型、晶向、电阻率及厚度。

低寄生电容 适用于低功耗、高速、射频和高灵敏度器件研究。

支持精密加工 可进行光刻、刻蚀、减薄、氧化、镀膜、键合及切割。

SOI三层结构

顶层硅 Top Silicon 作为主要器件层，可控制类型、晶向、电阻率和厚度，用于制作晶体管、波导、传感器及微机械结构。

埋氧层 BOX 位于顶硅与底硅之间，提供电学隔离，也可作为刻蚀停止层、牺牲层、热隔离层或光学限制层。

底层硅 Handle Wafer 为整个晶圆提供机械支撑，也可参与背面刻蚀、导电接触、键合及器件封装。

全部产品规格对比

4英寸、6英寸、8英寸SOI整片及参数1、2、4、5、6、8切割片统一对比；切割片参数已按对应产品参数图更新。

产品类别	尺寸	参数编号	抛光方式	顶硅类型	顶硅晶向	顶硅掺杂	顶硅电阻率（Ω·cm）	顶硅厚度	BOX氧化层	底硅类型	底硅晶向	底硅掺杂	底硅电阻率（Ω·cm）	底硅厚度	价格（￥）
SOI整片	4英寸	—	单面抛光	N型	〈100〉	—	0.01–0.05	4.5μm	0.5μm	N型	〈100〉	—	1–25.5	525μm	￥4810
		—	单面抛光	N型	〈100〉	—	0.3–1.2	1.5μm	1μm	N型	〈100〉	—	0.3–1.2	725μm	￥4810
		—	单面抛光	N型	〈100〉	—	1–5	2.5μm	1μm	P型	〈100〉	—	1–20	725μm	￥4810
		—	单面抛光	P型	〈100〉	—	1–10	1.5μm	1μm	P型	〈100〉	—	1–10	525μm	￥4810
		—	单面抛光	P型	〈100〉	—	3–8	2.2μm	1.1μm	P型	〈100〉	—	3–8	525μm	￥4810
		—	单面抛光	P型	〈100〉	—	3–8	2.2μm	1.1μm	P型	〈100〉	—	4–7	525μm	￥4810
		—	双面抛光	N型	〈100〉	—	0.01–0.02	5μm	1μm	N型	〈100〉	—	1–10	400μm	￥6410
SOI整片	6英寸	—	单面抛光	P型	〈100〉	—	1–20	0.2μm	0.12μm	P型	〈100〉	—	1–20	675μm	￥6010
		—	单面抛光	P型	〈100〉	—	1–20	0.2μm	0.375μm	P型	〈100〉	—	1–20	675μm	￥6010
		—	单面抛光	P型	〈100〉	—	1–20	2μm	0.5μm	P型	〈100〉	—	1–20	675μm	￥6010
		—	单面抛光	P型	〈100〉	—	＜0.02	60μm	2μm	P型	〈100〉	—	＜0.005	450μm	￥6010
		—	双面抛光	P型	〈100〉	—	1–20	52μm	2μm	P型	〈100〉	—	1–20	575μm	￥6010
SOI整片	8英寸	—	单面抛光	N型	〈100〉	—	0.3–1.2	1.5μm	1μm	N型	〈100〉	—	0.3–1.2	725μm	￥9010
SOI整片	8英寸	—	单面抛光	P型	〈100〉	—	1–20	220nm	3μm	未注明	〈100〉	—	1–20	725μm	￥13610
SOI切割片	10×10mm	参数1	单面抛光	N型	〈100〉	P	0.01–0.02	4.5μm	500nm	N型	〈100〉	P	1–30	525μm	￥210
		参数2	单面抛光	N型	〈100〉	P	1–5	2.5μm	500nm	P型	〈100〉	B	1–20	725μm	￥210
		参数4	单面抛光	P型	〈100〉	B	8–12	220nm	3μm	P型	〈100〉	B	750	725μm	￥210
		参数5	双面抛光	N型	〈100〉	P	＜0.02	40μm	1μm	N型	〈100〉	P	＜0.02	400μm	￥210
		参数6	单面抛光	N型	〈100〉	P	0.3–1.2	1.5μm	1μm	N型	〈100〉	P	0.3–1.2	725μm	￥210
SOI切割片	20×20mm	参数8	单面抛光	P型	〈100〉	B	8–12	220nm	3μm	P型	〈100〉	B	750	725μm	￥810

切割片参数1、2、4、5、6、8已按对应参数图填写；其中掺杂栏保留原图中的P、B标记。整片与切割片的具体公差、表面质量、TTV、Bow、Warp、检测资料及包装要求以订单确认结果为准。

主要应用

MEMS微机电系统 用于微悬臂梁、微膜、微加热器、惯性器件、压力传感器及微机械结构。

硅光子与光电子 用于硅基波导、调制器、耦合器、光电探测器及光子集成器件。

射频与微波器件 有助于降低衬底耦合、寄生电容和漏电，适用于高频与低功耗结构。

集成电路 用于低功耗CMOS、全耗尽器件、隔离结构及特殊集成电路研究。

传感器 适用于压力、气体、生物、温度、加速度及光学传感器。

微流控与芯片实验室 BOX层可作为刻蚀停止层或绝缘层，用于微流道、微反应器及芯片封装。

功率与高压器件 厚顶硅或低阻结构可用于功率器件、隔离器件及特殊电极结构。

材料与薄膜研究 用于金属、氧化物、氮化物、二维材料及功能薄膜沉积。

科研与工艺验证 适用于SOI结构研究、刻蚀工艺开发、器件设计及微纳加工教学。

产品选型建议

使用需求	推荐选择
薄层器件与硅光子	优先选择顶硅厚度220nm或0.2μm的SOI，并按光学模式及器件结构选择BOX厚度。
常规微纳器件	选择顶硅厚度1.5—5μm的SOI，适合光刻、浅刻蚀、传感器及集成结构。
MEMS机械结构	选择顶硅厚度40—60μm的SOI，适合微梁、微膜、质量块及深硅刻蚀。
低阻导电结构	选择顶硅或底硅电阻率较低的规格，并确认金属电极及背面接触方式。
双面加工与键合	选择双面抛光SOI，并重点确认底硅厚度、TTV、Bow、Warp及背面质量。
小面积实验	选择10×10mm或20×20mm切割片，并按参数编号确认完整三层结构。
精密器件加工	重点确认顶硅厚度均匀性、BOX厚度、颗粒、晶向及硅片平整度。

使用方法

1 核对结构参数 确认顶硅、BOX、底硅、抛光方式、晶向、电阻率、厚度及数量。

2 区分顶硅面 以包装标签和参数资料为准，不建议仅凭颜色或反射判断器件面。

3 洁净取放 佩戴无粉手套，使用真空吸笔或专用镊子从边缘取放。

4 使用前清洗 根据光刻、键合或沉积要求选择与硅和SiO₂兼容的清洗流程。

5 光刻与刻蚀 根据顶硅厚度设置刻蚀深度，并利用BOX作为绝缘或停止层。

6 释放结构 局部去除BOX时应控制侧向腐蚀、结构应力和释放时间。

7 切割加工 切割前保护顶硅面，切割后及时清除硅屑、颗粒和残留物。

8 保存工艺记录 记录批次、层厚、清洗条件、刻蚀深度及热处理工艺。

使用与储存注意事项

注意事项	操作建议
防止顶硅划伤	顶硅为主要器件层，不应接触粗糙台面、普通纸张或尖锐工具。
控制刻蚀深度	顶硅较薄时应准确设置刻蚀终点，避免刻穿器件层或损伤BOX。
注意含氟工艺	含氟刻蚀体系会腐蚀SiO₂，应评估BOX暴露时间和侧向腐蚀。
控制高温热预算	高温氧化、扩散和退火可能改变顶硅厚度、掺杂分布及界面状态。
保护双抛表面	双面抛光产品两面均需保护，避免吸盘压痕、颗粒及划伤。
洁净干燥储存	未使用产品应放回晶圆盒或自吸盒，避免高湿、酸碱蒸气和颗粒污染。

FAQ 常见问题

1. 什么是SOI绝缘硅片？

SOI绝缘硅片由顶层单晶硅、BOX埋氧层和底层硅组成。顶硅用于制作器件，BOX提供电学隔离，底硅提供机械支撑。

2. SOI硅片与普通单晶硅片有什么区别？

普通硅片通常为整体单晶硅结构，SOI内部增加了BOX埋氧层，可降低漏电、寄生电容和器件之间的衬底耦合。

3. 顶硅厚度应该如何选择？

220nm至0.2μm适合硅光子和薄层器件；1.5—5μm适合常规微纳器件；40—60μm适合MEMS机械结构和深硅刻蚀。

4. BOX埋氧层有什么作用？

BOX层主要用于电学隔离，也可作为刻蚀停止层、牺牲层、光学限制层或热隔离层。

5. 单面抛光和双面抛光如何选择？

只在顶硅面加工可选择单面抛光；需要背面曝光、背面刻蚀、双面键合或精密MEMS加工时建议选择双面抛光。

6. SOI硅片可以直接进行光刻和刻蚀吗？

可以。使用前应按工艺要求进行清洗和脱水，并根据顶硅厚度、目标结构和BOX位置设置刻蚀深度与终点。

7. 可以去除BOX埋氧层吗？

可以使用适合SiO₂的刻蚀体系进行局部或整体去除，但应控制含氟工艺产生的侧向腐蚀和结构释放时间。

8. SOI切割片参数如何确认？

应按参数编号确认完整结构，包括顶硅类型、晶向、掺杂、电阻率、厚度、BOX厚度、底硅参数及抛光方式。

9. 可以在SOI硅片上继续镀膜或氧化吗？

可以进行热氧化、介质膜沉积和金属镀膜，但高温处理可能影响顶硅厚度、掺杂分布和界面状态。

10. 是否可以提供检测资料或定制参数？

可根据批次和订单确认顶硅厚度、BOX厚度、电阻率、底硅厚度、TTV、Bow、Warp及表面质量资料。

下单前请确认

推荐询价格式：

尺寸＋单抛/双抛＋顶硅类型＋晶向＋掺杂＋顶硅电阻率＋顶硅厚度＋BOX厚度＋底硅类型＋晶向＋掺杂＋底硅电阻率＋底硅厚度＋数量＋加工要求

示例：6英寸＋单面抛光＋P型〈100〉顶硅＋1–20Ω·cm＋顶硅厚度2μm＋BOX厚度0.5μm＋P型〈100〉底硅＋1–20Ω·cm＋底硅厚度675μm＋10片。

产品总结

SciMater™ SOI绝缘硅片通过顶层硅、BOX埋氧层和底层硅的三层结构，实现器件层与衬底之间的有效隔离，具有低漏电、低寄生电容、低功耗及良好的微纳加工兼容性。薄顶硅适合硅光子、集成电路和薄层器件，厚顶硅适合MEMS及深硅刻蚀，双面抛光规格适合背面加工、键合及高精度结构制备。采购前应完整确认三层结构参数。

SOI绝缘硅片规格与价格表

顶硅参数 × 氧化层厚度 × 底硅参数 × 售价

单抛规格与双抛规格分组展示，所有SOI双抛片集中排列，便于快速比较不同尺寸和结构参数。

售价

产品类型：SOI绝缘硅片

抛光方式：单抛 / 双抛

结构：顶硅 / BOX / 底硅

N型掺杂：P 磷

P型掺杂：B 硼

价格单位：¥ / 片

基础信息		顶硅 Device Layer					氧化层厚度 BOX	底硅 Handle Wafer					售价
产品名称	尺寸	型号	晶向	掺杂	电阻率 Ω·cm	顶硅厚度	氧化层厚度 BOX	型号	晶向	掺杂	电阻率 Ω·cm	底硅厚度	售价
SOI单抛片规格
SOI单抛片	10 × 10 mm	N	100	P	0.01–0.02	4.5 μm	500 nm	N	100	P	1–30	525 μm	¥200
	10 × 10 mm	N	100	P	1–5	2.5 μm	500 nm	P	100	B	1–20	725 μm	¥200
	10 × 10 mm	P	100	B	8–12	220 nm	3 μm	P	100	B	750	725 μm	¥200
	10 × 10 mm	N	100	P	0.3–1.2	1.5 μm	1 μm	N	100	P	0.3–1.2	725 μm	¥200
	20 × 20 mm	P	100	B	8–12	220 nm	3 μm	P	100	B	750	725 μm	¥720
	4英寸	N	100	P	0.01–0.05	4.5 μm	0.5 μm	N	100	P	1–25.5	525 μm	¥3360
	4英寸	N	100	P	0.3–1.2	1.5 μm	1 μm	N	100	P	0.3–1.2	725 μm	¥3360
	4英寸	N	100	P	1–5	2.5 μm	1 μm	P	100	B	1–20	725 μm	¥3360
	4英寸	P	100	B	1–10	1.5 μm	1 μm	P	100	B	1–10	525 μm	¥3360
	4英寸	P	100	B	3–8	2.2 μm	1.1 μm	P	100	B	3–8	525 μm	¥3360
	4英寸	P	100	B	3–8	2.2 μm	1.1 μm	P	100	B	4–7	525 μm	¥3360
	6英寸	P	100	B	1–20	0.2 μm	0.12 μm	P	100	B	1–20	675 μm	¥4050
	6英寸	P	100	B	1–20	0.2 μm	0.375 μm	P	100	B	1–20	675 μm	¥4050
	6英寸	P	100	B	1–20	2 μm	0.5 μm	P	100	B	1–20	675 μm	¥4050
	6英寸	P	100	B	<0.02	60 μm	2 μm	P	100	B	<0.005	450 μm	¥4050
	8英寸	N	100	P	0.3–1.2	1.5 μm	1 μm	N	100	P	0.3–1.2	725 μm	¥5850
	8英寸	P	100	B	1–20	220 nm	3 μm	—	100	—	1–20	725 μm	¥8500
SOI双抛片规格
SOI双抛片	10 × 10 mm	N	100	P	<0.02	40 μm	1 μm	N	100	P	<0.02	400 μm	¥200
	4英寸	N	100	P	0.01–0.02	5 μm	1 μm	N	100	P	1–10	400 μm	¥4320
	6英寸	P	100	B	1–20	52 μm	2 μm	P	100	B	1–20	575 μm	¥4050