单面抛光只有一面作为主要精密加工表面，成本较低，适合常规光刻、镀膜和刻蚀；双面抛光两面均具有较好的表面质量，适合双面加工、晶圆键合、透射测试及高精度MEMS工艺。

双面抛光主要表示两面均经过精密抛光，并不代表所有电学和几何参数都一定高于单抛产品。应根据工艺是否需要使用背面功能表面进行选择。

应根据器件结构、载流子类型及电学测试方案选择。普通薄膜沉积或形貌观察对导电类型不敏感时，可优先根据成本和库存规格选择。

〈100〉常用于MOS器件、集成电路及MEMS加工；〈111〉常用于特定外延、表面科学、晶向相关刻蚀及特殊器件研究。

常规产品通常为裸硅抛光片，但表面暴露于空气后会形成自然氧化层。需要指定厚度的热氧化SiO₂层时，应单独选择氧化硅片或定制氧化工艺。

可以根据尺寸和批次确认。本征无掺杂硅片适合低载流子背景实验，低阻硅片适合导电衬底，高阻硅片适合射频、微波、低漏电及绝缘研究。

可根据尺寸、厚度、公差和数量评估，并可加工为方片、长方片、圆片或异形片。超薄片易碎，超厚片需提前确认设备夹具及真空吸附能力。

建议使用前根据工艺要求进行清洗、脱水和表面处理。对颗粒、有机物和金属污染敏感的高精度光刻，不建议未经确认直接使用。

可定制SiO₂、Si₃N₄、Au、Pt、Ag、Cu、Al等膜层，也可根据工艺确认粘附层、膜厚、单面或双面镀膜及图形化要求。

价格还会受到产品等级、单抛或双抛、导电类型、晶向、电阻率、厚度、TTV、Bow、Warp、表面质量、检测要求、切割加工及包装数量影响。